Med hjälp av icke-destruktiv skärteknik skärs wafern jämnt i två eller flera delar för att få en lägre nominell driftstemperatur (NOCT), minska skuggförlusterna och förbättra omvandlingseffektiviteten.

En modulteknik som genererar elektricitet från både fram- och baksidan. När solljuset skiner på den bifaciala modulen kommer en del av ljuset att reflekteras av omgivningen till modulens baksida, och denna del av ljuset kan absorberas av cellen för att generera elektricitet.

Interdigitated Back Contact (IBC) är en teknik som använder kiselskivor av N-typ som är täckta med en termisk oxidfilm på fram- och baksidan för att omvandla energi till backkontakt. Det finns ingen skuggning på cellens framsida, så att den kan absorbera maximalt med solljus.

Tunneloxidpassiverad kontaktcell, vars cellstruktur kan realisera endimensionell longitudinell transport av bärare, samtidigt som sammansättningen av metaller och kiselsubstrat minskar, vilket leder till starkare integrerad kraftgenerering.

Hetero-junction med Intrinsic Thin-layer-batteri, vars P-N-övergång består av två olika halvledarmaterial. Det har fördelarna att generera elektricitet från både fram- och baksida, hög öppen kretsspänning och goda temperaturegenskaper.

Shingled-tekniken skär i allmänhet kiselplattor i mer än 5 bitar och använder flexibelt ledande lim för limning vid låg temperatur för att uppnå sömlös anslutning mellan celler, vilket avsevärt ökar modulens uteffekt.